第一級陸上無線技術士試験 無線工学B 過去問題 R6.1 B-3 R4.7(2) A-6 R4.1(1) B-3 R3.1(2) B-2 R2.11(2) A-8 R2.1 B-2 H31.1 A-9 H29.7 B-2

R6.1 B-3

次の記述は、図に示すマイクロストリップ線路について述べたものである。\(\boxed{\phantom{1234}}\,\)内に入れるべき字句を下の番号から選べ。

  1. 接地導体基板の上にアルミナやフッ素樹脂などの厚さの薄い誘電体基板を密着させ、その上に幅が狭く厚さの極めて薄いストリップ導体を密着させた\(\,\boxed{\quad\text{ア}\quad}\,\)の線路である。
  2. 本線路は、開放線路の一種であり、外部雑音の影響や放射損がある。放射損を少なくするために、比誘電率\(\,\boxed{\quad\text{イ}\quad}\,\)誘電体基板を用いる。
  3. 伝送モードは、通常、ほぼ\(\,\boxed{\quad\text{ウ}\quad}\,\)モードとして扱うことができる。
  4. 特性インピーダンスは、ストリップ導体の幅を\(\,w\,\)、誘電体基板の厚さを\(\,d\,\)、誘電体基板の比誘電率を\(\,\varepsilon_r\,\)とすると、\(\boxed{\quad\text{エ}\quad}\,\)が小さいほど、また\(\,\varepsilon_r\,\)が\(\,\boxed{\quad\text{オ}\quad}\,\)ほど、大きくなる。
\[ \begin{array}{r c} 1&平衡形 \\ 2&の大きい \\ 3&TE_{11} \\ 4&d/w \\ 5&小さいほど \\ 6&不平衡形 \\ 7&の小さい \\ 8&TEM \\ 9&w/d \\ 10&大きいほど \end{array} \]

解法

ストリップ導体の幅を\(\,w\,[\mathrm{m}]\,\)、誘電体基板の厚さを\(\,d\,[\mathrm{m}]\,\)、比誘電率を\(\,\varepsilon_r\,\)とすると、\(w/d\,\)が小さいほど、\(\,\varepsilon_r\,\)が小さいほど特性インピーダンスは大きくなる

答え…ア-6 イ-2 ウ-8 エ-9 オ-5

R4.7(2) A-6

次の記述は、図に示すマイクロストリップ線路について述べたものである。\(\boxed{\phantom{1234}}\,\)内に入れるべき字句の正しい組合せを下の番号から選べ。

  1. 開放線路の一種であるので、外部雑音の影響や放射損がある。放射損を少なくするために、比誘電率の\(\,\boxed{\quad\text{A}\quad}\,\)誘電体基板を用いる。
  2. 伝送モードは、通常、ほぼ\(\,\boxed{\quad\text{B}\quad}\,\)モードとして扱うことができる。
  3. 誘電体基板の比誘電率並びにストリップ導体及び誘電体基板の厚さが変わらないとき、特性インピーダンスは、ストリップ導体の幅\(\,W\,[\mathrm{m}]\,\)が狭くなるほど\(\,\boxed{\quad\text{C}\quad}\,\)なる。
\[ \begin{array}{r c c c} &\text{A}&\text{B}&\text{C} \\ 1&大きい&TEM&大きく \\ 2&大きい&TEM&小さく \\ 3&大きい&TM&小さく \\ 4&小さい&TE&小さく \\ 5&小さい&TEM&大きく \end{array} \]

解法

ストリップ導体の幅を\(\,W\,[\mathrm{m}]\,\)、誘電体基板の厚さを\(\,d\,[\mathrm{m}]\,\)、比誘電率を\(\,\varepsilon_r\,\)とすると、\(W/d\,\)が大きいほど、また\(\,\varepsilon_r\,\)が大きいほど、特性インピーダンスは小さくなる

答え…1

R4.1(1) B-3

次の記述は、図に示すマイクロストリップ線路について述べたものである。\(\boxed{\phantom{1234}}\,\)内に入れるべき字句を下の番号から選べ。

  1. 接地導体基板の上にアルミナやフッ素樹脂などの厚さの薄い誘電体基板を密着させ、その上に幅が狭く厚さの極めて薄いストリップ導体を密着させた\(\,\boxed{\quad\text{ア}\quad}\,\)の線路である。
  2. 本線路は、開放線路の一種であり、外部雑音の影響や放射損がある。放射損を少なくするために、比誘電率\(\,\boxed{\quad\text{イ}\quad}\,\)誘電体基板を用いる。
  3. 特性インピーダンスは、ストリップ導体の幅を\(\,w\,\)、誘電体基板の厚さを\(\,d\,\)、誘電体基板の比誘電率を\(\,\varepsilon_r\,\)とすると、\(\boxed{\quad\text{ウ}\quad}\,\)が小さいほど、また\(\,\varepsilon_r\,\)が小さいほど、\(\boxed{\quad\text{エ}\quad}\,\)なる。
  4. 伝送モードは、通常、ほぼ\(\,\boxed{\quad\text{オ}\quad}\,\)モードとして扱うことができる。
\[ \begin{array}{r c} 1&不平衡形 \\ 2&の大きい \\ 3&TE_{11} \\ 4&d/w \\ 5&大きく \\ 6&平衡形 \\ 7&の小さい \\ 8&TEM \\ 9&w/d \\ 10&小さく \end{array} \]

解法

ストリップ導体の幅を\(\,w\,[\mathrm{m}]\,\)、誘電体基板の厚さを\(\,d\,[\mathrm{m}]\,\)、比誘電率を\(\,\varepsilon_r\,\)とすると、\(w/d\,\)が小さいほど、\(\,\varepsilon_r\,\)が小さいほど特性インピーダンスは大きくなる

答え…ア-1 イ-2 ウ-9 エ-5 オ-8

R3.1(2) B-2

次の記述は、図に示すマイクロストリップ線路について述べたものである。\(\boxed{\phantom{1234}}\,\)内に入れるべき字句を下の番号から選べ。

  1. 接地導体基板の上にアルミナやフッ素樹脂などの厚さの薄い誘電体基板を密着させ、その上に幅が狭く厚さの極めて薄いストリップ導体を密着させた\(\,\boxed{\quad\text{ア}\quad}\,\)の線路である。
  2. 本線路は、開放線路の一種であり、外部雑音の影響や放射損がある。放射損を少なくするために、比誘電率\(\,\boxed{\quad\text{イ}\quad}\,\)誘電体基板を用いる。
  3. 伝送モードは、通常、ほぼ\(\,\boxed{\quad\text{ウ}\quad}\,\)モードとして扱うことができる。
  4. 特性インピーダンスは、ストリップ導体の幅を\(\,w\,\)、誘電体基板の厚さを\(\,d\,\)、誘電体基板の比誘電率を\(\,\varepsilon_r\,\)とすると、\(\boxed{\quad\text{エ}\quad}\,\)が小さいほど、また\(\,\varepsilon_r\,\)が\(\,\boxed{\quad\text{オ}\quad}\,\)、大きくなる。
\[ \begin{array}{r c} 1&不平衡形 \\ 2&の大きい \\ 3&TE_{11} \\ 4&d/w \\ 5&大きいほど \\ 6&平衡形 \\ 7&の小さい \\ 8&TEM \\ 9&w/d \\ 10&小さいほど \end{array} \]

解法

ストリップ導体の幅を\(\,w\,[\mathrm{m}]\,\)、誘電体基板の厚さを\(\,d\,[\mathrm{m}]\,\)、比誘電率を\(\,\varepsilon_r\,\)とすると、\(w/d\,\)が大きいほど、\(\,\varepsilon_r\,\)が大きいほど特性インピーダンスは小さくなる。

答え…ア-1 イ-2 ウ-8 エ-9 オ-10

R2.11(2) A-8

次の記述は、図に示すマイクロストリップ線路について述べたものである。\(\boxed{\phantom{1234}}\,\)内に入れるべき字句の正しい組合せを下の番号から選べ。

  1. 開放線路の一種であるので、外部雑音の影響や放射損がある。放射損を少なくするために、比誘電率の\(\,\boxed{\quad\text{A}\quad}\,\)誘電体基板を用いる。
  2. 伝送モードは、通常、ほぼ\(\,\boxed{\quad\text{B}\quad}\,\)モードとして扱うことができる。
  3. 誘電体基板の比誘電率並びにストリップ導体及び誘電体基板の厚さが変わらないとき、特性インピーダンスは、ストリップ導体の幅\(\,W\,[\mathrm{m}]\,\)が\(\,\boxed{\quad\text{C}\quad}\,\)なるほど高くなる。
\[ \begin{array}{r c c c} &\text{A}&\text{B}&\text{C} \\ 1&大きい&TE&広く \\ 2&大きい&TEM&狭く \\ 3&大きい&TM&広く \\ 4&小さい&TE&狭く \\ 5&小さい&TEM&狭く \end{array} \]

解法

ストリップ導体の幅を\(\,W\,[\mathrm{m}]\,\)、誘電体基板の厚さを\(\,d\,[\mathrm{m}]\,\)、比誘電率を\(\,\varepsilon_r\,\)とすると、\(W/d\,\)が大きいほど、\(\,\varepsilon_r\,\)が大きいほど特性インピーダンスは小さくなる。

答え…2

R2.1 B-2

次の記述は、図に示すマイクロストリップ線路について述べたものである。\(\boxed{\phantom{1234}}\,\)内に入れるべき字句を下の番号から選べ。

  1. 接地導体基板の上にアルミナやフッ素樹脂などの厚さの薄い誘電体基板を密着させ、その上に幅が狭く厚さの極めて薄いストリップ導体を密着させた\(\,\boxed{\quad\text{ア}\quad}\,\)の線路である。
  2. 本線路は、開放線路の一種であり、外部雑音の影響や放射損がある。放射損を少なくするために、比誘電率\(\,\boxed{\quad\text{イ}\quad}\,\)誘電体基板を用いる。
  3. 伝送モードは、通常、ほぼ\(\,\boxed{\quad\text{ウ}\quad}\,\)モードとして扱うことができる。
  4. 特性インピーダンスは、ストリップ導体の幅を\(\,w\,\)、誘電体基板の厚さを\(\,d\,\)、誘電体基板の比誘電率を\(\,\varepsilon_r\,\)とすると、\(\boxed{\quad\text{エ}\quad}\,\)が大きいほど、また\(\,\varepsilon_r\,\)が\(\,\boxed{\quad\text{オ}\quad}\,\)、小さくなる。
\[ \begin{array}{r c} 1&平衡形 \\ 2&の大きい \\ 3&TEM \\ 4&d/w \\ 5&大きいほど \\ 6&不平衡形 \\ 7&の小さい \\ 8&TE_{11} \\ 9&w/d \\ 10&小さいほど \end{array} \]

解法

ストリップ導体の幅を\(\,w\,[\mathrm{m}]\,\)、誘電体基板の厚さを\(\,d\,[\mathrm{m}]\,\)、比誘電率を\(\,\varepsilon_r\,\)とすると、\(w/d\,\)が大きいほど、\(\,\varepsilon_r\,\)が大きいほど特性インピーダンスは小さくなる。

答え…ア-6 イ-2 ウ-3 エ-9 オ-5

H31.1 A-9

次の記述は、図に示すマイクロストリップ線路について述べたものである。\(\boxed{\phantom{1234}}\,\)内に入れるべき字句の正しい組合せを下の番号から選べ。

  1. 開放線路の一種であるので、外部雑音の影響や放射損がある。放射損を少なくするために、比誘電率の\(\,\boxed{\quad\text{A}\quad}\,\)誘電体基板を用いる。
  2. 伝送モードは、通常、ほぼ\(\,\boxed{\quad\text{B}\quad}\,\)モードとして扱うことができる。
  3. 誘電体基板の比誘電率並びにストリップ導体及び誘電体基板の厚さが変わらないとき、特性インピーダンスは、ストリップ導体の幅\(\,W\,[\mathrm{m}]\,\)が狭くなるほど\(\,\boxed{\quad\text{C}\quad}\,\)なる。
\[ \begin{array}{r c c c} &\text{A}&\text{B}&\text{C} \\ 1&小さい&TE&高く \\ 2&小さい&TEM&低く \\ 3&大きい&TE&低く \\ 4&大きい&TEM&高く \\ 5&大きい&TM&低く \end{array} \]

解法

ストリップ導体の幅を\(\,W\,[\mathrm{m}]\,\)、誘電体基板の厚さを\(\,d\,[\mathrm{m}]\,\)、比誘電率を\(\,\varepsilon_r\,\)とすると、\(W/d\,\)が大きいほど、\(\,\varepsilon_r\,\)が大きいほど特性インピーダンスは小さくなる。

答え…4

H29.7 B-2

次の記述は、図に示すマイクロストリップ線路について述べたものである。\(\boxed{\phantom{1234}}\,\)内に入れるべき字句を下の番号から選べ。

  1. 接地導体基板の上に\(\,\boxed{\quad\text{ア}\quad}\,\)やフッ素樹脂などの厚さの薄い誘電体基板を密着させ、その上に幅が狭く厚さの薄いストリップ導体を密着させて線路を構成したものである。
  2. 本線路は、開放線路の一種であり、外部雑音の影響や放射損がある。放射損を少なくするために、比誘電率\(\,\boxed{\quad\text{イ}\quad}\,\)誘電体基板を用いる。
  3. 伝送モードは、通常、ほぼ\(\,\boxed{\quad\text{ウ}\quad}\,\)モードとして扱うことができる。
  4. 特性インピーダンスは、ストリップ導体の幅を\(\,w\,\)、誘電体基板の厚さを\(\,d\,\)、誘電体基板の比誘電率を\(\,\varepsilon_r\,\)とすると、\(\boxed{\quad\text{エ}\quad}\,\)が大きいほど、また\(\,\varepsilon_r\,\)が\(\,\boxed{\quad\text{オ}\quad}\,\)、小さくなる。
\[ \begin{array}{r c} 1&アルミナ \\ 2&の小さい \\ 3&TE_{11} \\ 4&w/d \\ 5&小さいほど \\ 6&フェライト \\ 7&の大きい \\ 8&TEM \\ 9&d/w \\ 10&大きいほど \end{array} \]

解法

ストリップ導体の幅を\(\,w\,[\mathrm{m}]\,\)、誘電体基板の厚さを\(\,d\,[\mathrm{m}]\,\)、比誘電率を\(\,\varepsilon_r\,\)とすると、\(w/d\,\)が大きいほど、\(\,\varepsilon_r\,\)が大きいほど特性インピーダンスは小さくなる。

答え…ア-1 イ-7 ウ-8 エ-4 オ-10